1 中国石油大学(华东)信息与控制工程学院, 山东 青岛266555
2 林茨大学实验物理研究所原子与表面科学系, 奥地利A-4040
3 天津大学精密测试技术及仪器国家重点实验室, 天津300072
荧光发射强度在荧光显微术科学观测中至关重要。 理论分析了三大影响荧光发射强度的重要因素: 分子吸收激发光光子的能力、 荧光量子产量及其荧光饱和与荧光猝灭, 指出选择具有大光吸收截面和高量子产量的荧光分子, 能有效保证荧光发射强度； 确定合理的激发光强度范围, 可避免不必要的荧光饱和现象。 进一步实验研究了超高真空和大气环境下的荧光猝灭现象, 得出超高真空时荧光分子的荧光猝灭现象极不明显, 而大气环境可造成荧光光强指数递减的结论。
荧光发射强度 荧光饱和 荧光猝灭 荧光光谱 Fluorescence intensity Fluorescence saturation Fluorescence quenching Fluorescence spectrum 光谱学与光谱分析
2012, 32(10): 2718
1 中国石油大学（华东）信息与控制工程学院, 山东 青岛 266580
2 林茨大学实验物理研究所原子与表面科学系, 奥地利 林茨 A-4040
3 天津大学精密测试技术及仪器国家重点实验室, 天津 300072
设计了一套具有一定实用意义和科学价值的薄膜生长荧光显微图像实时采集与分析系统，可以实现透明衬底上有机荧光分子薄膜生长的实时原位监测。进一步阐明了系统的硬件构筑思路和软件设计架构，并依据薄膜的形貌特征，给出8个主要生长信息参数及其求取算法，并利用自行搭建的实验系统，针对联六苯(p-6P)分子在云母衬底上的纳米纤维生长过程，得出了其准一维的线性生长规律。该系统作为重要的薄膜生长成像监测技术，有望在薄膜与衬底表面相互作用和衬底微区结构特性研究等方面起到积极的作用。
薄膜 荧光显微术 成像系统 图像处理 薄膜生长参量
1 天津大学 精密测试技术及仪器国家重点实验室,天津 300072
2 约翰·开普勒大学 实验物理研究所,林茨 A-4040,奥地利
利用自主研发设计的波长为355 nm的纳秒脉冲激光微加工系统,在硅(100)表面进行照射加工,形成了线槽宽度约25 μm的微结构。利用荧光显微检测和光谱检测等观测手段,对形成的线槽结构进行观测分析,发现加工过的区域可以发生强烈的光致发光现象。使用波长范围为400-440 nm的照明光照射加工区域,可以激发出波长范围为400-700 nm的荧光,且荧光光强随时间呈现指数衰减变化。从而证实了纳秒脉冲激光的照射加工改变了硅材料的光学属性,为利用脉冲激光加工制备硅基光电器件和结构进行了探索。
激光技术 纳秒脉冲激光 微加工 荧光检测 硅(100)
